PVD（物理气相沉积）镀膜工艺是一种在真空条件下，采用物理方法将材料源（固体或液体）表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。PVD镀膜技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。

以下是PVD镀膜工艺的基本过程及一些具体的工艺参数：

1. 真空蒸发镀膜：

• 基本过程：

1. 加热膜材，使之蒸发或升华，成为具有一定能量的气态粒子（原子、分子和原子团）。

2. 气态粒子以无碰撞的直线飞行输运到基体表面。

3. 气态粒子凝聚形成核后生长成固相薄膜。

4. 薄膜的原子重组排列或产生化学键合。

• 参数示例（热蒸发）：

• 衬底温度：根据具体材料和需求而定。

• 蒸发材料：根据所需薄膜的材质而定。

• 真空度：高真空，以保证蒸发材料的纯净和薄膜的均匀性。

• 蒸发速率：根据蒸发材料和基体材料而定，需控制在一定范围内以保证薄膜质量。

2. 真空溅射镀膜：

• 基本过程：

1. 在电场或磁场的作用下，高能离子轰击靶材表面，使靶材原子或分子被溅射出来。

2. 溅射出来的原子或分子在真空中飞行并沉积在基体表面形成薄膜。

• 参数示例（射频磁控溅射）：

• 溅射气体：如氩气等惰性气体，用于产生高能离子。

• 射频功率：控制离子轰击靶材的能量和溅射速率。

• 真空度：高真空，以减少气体分子对溅射原子的碰撞和散射。

• 靶材与基体的距离：影响溅射原子的飞行距离和薄膜的均匀性。

3. 真空离子镀膜：

• 基本过程与真空溅射镀膜类似，但增加了电离过程，使溅射出来的原子或分子形成离子并沉积在基体表面。

• 参数示例：与真空溅射镀膜类似，但还需考虑电离过程的参数设置，如电离电压、电离电流等。

需要注意的是，PVD镀膜工艺的参数设置需要根据具体的材料、设备和需求进行调整和优化。同时，PVD镀膜技术也在不断发展中，新的工艺和参数也在不断涌现。因此，在实际应用中，需要根据具体情况进行选择和调整。